銻化物的外延生長及其物性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文主要研究內(nèi)容是GaSb的同質(zhì)/異質(zhì)外延生長和材料的表征和物性分析，利用同質(zhì)外延指導(dǎo)異質(zhì)外延的生長。具體如下:采用分子束外延在GaAs/GaSb襯底上同質(zhì)/異質(zhì)外延上生長GaSb薄膜，在外延生長過程中，我們利用RHEED對生長過程進(jìn)行監(jiān)測，記錄下各種衍射震蕩圖，確定了生長速率、Ⅲ/Ⅴ束流比，并且對生長的各個參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化;然后采用X射線雙晶衍射、原子力顯微鏡、掃描電鏡、PLmapping等設(shè)備對外延片的質(zhì)量進(jìn)行光學(xué)、電學(xué)、形貌方面的測

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