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文檔簡介
1、TiO2作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有良好的物理化學(xué)穩(wěn)定性和光電特性。在光催化、太陽能電池和氣敏器件等光電領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。TiO2常溫下的禁帶寬度為3.0~3.2eV,主要吸收紫外波段,對可見光幾乎不吸收,因此紫外/可見光響應(yīng)度較高。納米特性介紹,TiO2納米結(jié)構(gòu)材料具有高比表面積等特性。此外,制備TiO2納米材料的制備工藝簡單,為制備大批量低成本、高穩(wěn)定性的電子元器件成為可能。本論文對影響TiO2納米柱薄膜和陣列的制備開
2、展研究工作。
工作的主要內(nèi)容是采用液相法中的水熱法,首先用磁控濺射法在石英襯底上制備TiO2種子層,利用XRD、Raman、XPS、SEM、AFM、TEM和紫外可見光度計等技術(shù)對薄膜種子層進(jìn)行表征。后通過水熱法系統(tǒng)的討論了種子層的類型、水熱時間、前驅(qū)液濃度、PH值以及退火工藝對納米柱形貌和晶型生長的影響。
通過實驗分析發(fā)現(xiàn),低溫水熱法生長的TiO2納米柱的形貌對生長過程中實驗參數(shù)是敏感的,如納米柱的直徑與水熱法中前驅(qū)
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