氟化石墨烯的制備與氟化石墨烯-石墨烯異質(zhì)結(jié)的表征.pdf

1、本文研究了在銅襯底上使用化學(xué)氣相法（CVD）沉積形成單層與多層石墨烯薄膜，將薄膜轉(zhuǎn)移到氧化硅襯底上之后，使用六氟化硫氣體，以不同的等離子激發(fā)條件對(duì)石墨烯薄膜進(jìn)行氟化，制備得到不同氟化程度的氟化石墨烯薄膜。并對(duì)所得的氟化石墨烯薄膜進(jìn)行拉曼、XPS、方塊電阻等方面的表征，著重研究了氟化條件對(duì)石墨烯性質(zhì)的影響，討論了石墨烯氟化的機(jī)理。研究了氟化石墨烯/石墨烯異質(zhì)結(jié)的制備以及在電子器件方面的應(yīng)用。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴采用CVD法生

2、長(zhǎng)單層石墨烯以及單晶多層石墨烯，單層石墨烯采用濕法轉(zhuǎn)移以及冒泡法轉(zhuǎn)移；多層石墨烯采用改進(jìn)的濕法轉(zhuǎn)移方法來獲得潔凈連續(xù)的石墨烯。⑵使用SF6作為氣源，使用深刻蝕機(jī)產(chǎn)生含氟等離子體轟擊石墨烯生成氟化石墨烯。通過控制氟化功率以及時(shí)間，發(fā)現(xiàn)在氟化率達(dá)到15％時(shí)趨于飽和，此時(shí)表面電阻超過50MΩ/□。采用低氟化功率較長(zhǎng)氟化時(shí)間可以實(shí)現(xiàn)較高氟化率同時(shí)對(duì)石墨烯破壞程度較低。⑶討論了水平以及垂直氟化石墨烯/石墨烯的異質(zhì)結(jié)制備方法，即多次轉(zhuǎn)移制備以及氟化