(SinC4)k分子輸運(yùn)性質(zhì)理論研究.pdf

1、聚硅烷是由特殊σ-共軛結(jié)構(gòu)的Si-Si單鍵組成的一類高分子聚合物。包括線型聚硅烷和環(huán)狀聚硅烷兩類。聚硅烷因Si原子有3d空軌道，使得主鏈上的σ-電子廣泛離域，因而具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。聚乙炔是主鏈具有π-共軛結(jié)構(gòu)的線性聚合物，經(jīng)過化學(xué)或電化學(xué)摻雜后，聚乙炔可以形成n-型、P-型的半導(dǎo)體，導(dǎo)電性可以比擬金屬的導(dǎo)電性。將環(huán)狀聚硅烷與聚乙炔有機(jī)結(jié)合起來對(duì)其進(jìn)行理論研究，有目的地組合配置σ-π離域的各級(jí)結(jié)構(gòu)，將對(duì)開發(fā)新型導(dǎo)電高分子材料具有非常重要

2、的研究意義。
　　本文首先利用Gaussian03程序包在6-31+G*基組下對(duì)環(huán)狀聚硅烷與聚乙炔的共聚物(SinC4)kk=1～4;n=3～6進(jìn)行幾何優(yōu)化，然后在優(yōu)化構(gòu)型下應(yīng)用ATK程序包，結(jié)合非平衡格林函數(shù)和密度泛函理論，對(duì)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)電子導(dǎo)電性能進(jìn)行了理論計(jì)算，得到電流-電壓曲線，結(jié)果發(fā)現(xiàn):在(SinC4)k中隨著n的增大，體系的導(dǎo)電性能呈逐漸降低的趨勢(shì);在(SinC4)k中隨著k的增大，體系的導(dǎo)電性能呈逐漸降低的趨勢(shì)，這些變化