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文檔簡介
1、該論文介紹了幾種氮化物薄膜的低溫合成和對氮化物薄膜的性質(zhì)研究.低溫合成制備優(yōu)質(zhì)的氮化物薄膜的關(guān)鍵是低溫條件下化合物的形成和膜層的生長.在脈沖激光燒蝕（PLA）過程、脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)、電子回旋共振（ECR）微波放電和ECR等離子體特性研究的基礎(chǔ)上,摸索發(fā)展了一種低溫合成制備化合物薄膜的新方法-ECR等離子體輔助脈沖激光沉積（ECR-PLD）,并成功地應(yīng)用于Ⅲ族氮化物AlN、GaN薄膜和碳基氮化物CN、BCN的合成制備.在低溫（<
2、80℃）條件下應(yīng)用這種方法,分別以金屬鋁、多晶砷化鎵（GaAs）、石墨、碳化硼（B<,4>C）靶為原材料,合成制備了AlN、GaN、CNx和BCN薄膜.制備得到的AlN薄膜的Al：N平均原子數(shù)比約為1：1,可見至近紅外波段呈現(xiàn)80-95﹪的透射率,吸收邊位于200nm處,能隙寬度為5.7eV;還研究了AlN薄膜脈沖光致發(fā)光及其時(shí)間演變,觀察到光發(fā)射的非指數(shù)衰減現(xiàn)象以及氧雜質(zhì)對發(fā)射譜的影響.GaN薄膜的Ga和N的平均原子比為46-54,在
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