硅基APD近紅外敏感增強(qiáng)的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著激光技術(shù)的發(fā)展和基于近紅外波段光子探測技術(shù)的需求,提高硅基APD(雪崩光電二極管)近紅外敏感探測效率,尤其是1064nm處的探測效率變的尤為迫切。本文主要針對的是Si基SACM(吸收場控倍增分離結(jié)構(gòu))結(jié)構(gòu)APD近紅外敏感探測效率提高的研究。
　　基于S摻雜技術(shù)的前提,首先根據(jù)對稱性分析了摻S后Si原子集團(tuán)的結(jié)構(gòu),對該原子集團(tuán)進(jìn)行了模擬。在此基礎(chǔ)上對摻S后材料的吸收特性改變的機(jī)制進(jìn)行了分析,推導(dǎo)了不同摻雜濃度下Si的費(fèi)米能級。<

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